www.4166am.com-澳门金沙4166.am-金沙4166am官网登录 - 文学类专业网站力求原创·干净·绿色

www.4166am.com-澳门金沙4166.am-金沙4166am官网登录

当前位置: www.4166am.com > 体育 > 黄教忠排出蚀刻槽内的草酸溶液

黄教忠排出蚀刻槽内的草酸溶液

时间:2019-04-18来源:未知 作者:admin点击:
(4)草酸溶液中的皮相活性剂的成份剖释试验由FTIR剖释结果显示,涌现草酸溶液中的皮相活性剂与血色残留物成份雷同,如图7所示。 请参照图2,其示出守旧的湿蚀刻法及蚀刻槽的明净手法的流程图。正在图2中,最初,正在办法202中,浸泡待蚀刻半导体构造120于ITO

  (4)草酸溶液中的皮相活性剂的成份剖释试验由FTIR剖释结果显示,涌现草酸溶液中的皮相活性剂与血色残留物成份雷同,如图7所示。

  请参照图2,其示出守旧的湿蚀刻法及蚀刻槽的明净手法的流程图。正在图2中,最初,正在办法202中,浸泡待蚀刻半导体构造120于ITO蚀刻槽(etcher)内的ITO蚀刻液中一段工夫后并取出,待蚀刻半导体构造120起码具有ITO层112及位于ITO层112上的图案化光致抗蚀剂层114。举例而言,ITO蚀刻液可为台湾伊默克公司所出产的草酸溶液(ITO06SD),而草酸溶液(ITO06SD)蕴涵草酸(oxalic acid)及皮相活性剂(surfactant),且图案化光致抗蚀剂层114比方为日本科莱恩(Clariant)所出产的PEP5光致抗蚀剂(AZ TFP-650F5)。当待蚀刻半导体构造120浸泡草酸溶液(ITO06SD)中一段工夫后,草酸溶液(ITO06SD)即可去除所大白的局部的ITO层112,以变成ITO电极112a,但ITO蚀刻槽内将产生血色残留物(residue)。接着,进入办法204中,排出ITO蚀刻槽内的ITO蚀刻液,此时,蚀刻槽内依然具有血色残留物。然后,进入办法206中,功课职员必需利用无尘布擦拭ITO蚀刻槽内的血色残留物,以明净ITO蚀刻槽。

  遵循本发觉的目标,供应一种薄膜晶体管面板的缔制手法。最初,浸泡一待蚀刻半导体构造于一蚀刻槽内的一草酸溶液中一段工夫后并取出,待蚀刻半导体构造起码具有一氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)层及一位于ITO层上的图案化光致抗蚀剂层,草酸溶液用以去除所大白的局部的ITO层,以变成数个ITO电极。接着,排出蚀刻槽内的草酸溶液,并利用一强碱溶液洗濯蚀刻槽,以去除蚀刻槽内的残留物。

  (3)蚀刻槽中的已蚀刻ITO层后的草酸溶液的萃取物剖释试验由FTIR剖释结果显示,草酸溶液的萃取物成份与血色残留物雷同,如图6所示,估计血色残留物乃由草酸溶液及光致抗蚀剂所响应而变成。个中,草酸溶液(ITO05N)为比照试验组。

  本发觉相闭一种薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)面板的缔制手法,且特殊是相闭一种蕴涵一利用强碱溶液明净氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)蚀刻槽的办法的薄膜晶体管面板的缔制手法。

  11.如权柄请求7所述的手法,个中该待蚀刻半导体构造还征求一基板;众个薄膜晶体管,其变成于该基板上,各该薄膜晶体管具有一漏极;一庇护层,变成于该基板之上,并掩盖该些薄膜晶体管;一有机层,变成于该庇护层上,该有机层及该庇护层具有领略的众个接触孔,各该接触孔用以大白各该薄膜晶体管的局部的漏极,个中,该有机层之上具有该氧化铟锡层及该图案化光致抗蚀剂层。

  遵循本发觉的另一目标,提出一种强碱溶液的用处,其用以洗濯一蚀刻槽,蚀刻槽可置入一草酸溶液,该草酸溶液可供一具有一ITO层及一位于ITO层上的图案化光致抗蚀剂层的待蚀刻半导体构造浸入,草酸溶液将蚀刻所大白的局部的ITO层,以变成数个ITO电极,蚀刻槽于蚀刻后的待蚀刻半导体及草酸溶液被取出后实行洗濯。

  由上外可知,血色残留物可能一律溶化于3wt%~10wt%的氢氧化钠溶液中。也即是说,血色残留物可能一律溶化于3wt%~10wt%的强碱溶液中,这即是本发觉采纳强碱溶液的凭借。

  (6)光致抗蚀剂溶化于去离子水、草酸溶液(蕴涵草酸及皮相活性剂)及纯草酸的比照试验对光致抗蚀剂的溶化水平挨次为纯草酸>草酸溶液(蕴涵草酸及皮相活性剂)>去离子水。因而,酿成草酸溶液溶出光致抗蚀剂的来由首要为草酸溶液中的草酸,并非为草酸溶液中的皮相活性剂。

  1.一种薄膜晶体管面板的缔制手法,起码征求浸泡一待蚀刻半导体构造于一蚀刻槽内的一草酸溶液中一段工夫后并取出,个中该待蚀刻半导体构造起码具有一氧化铟锡层及一位于该氧化铟锡层上的图案化光致抗蚀剂层,该草酸溶液用以去除局部的该氧化铟锡层,以变成众个氧化铟锡电极;以及排出该蚀刻槽内的草酸溶液,并利用一强碱溶液洗濯该蚀刻槽,以去除该蚀刻槽内的残留物。

  (2)光致抗蚀剂浸泡于草酸溶液中的试验由FTIR剖释结果显示,血色残留物含有光致抗蚀剂成份,如图5所示,估计图案化光致抗蚀剂层于草酸溶液蚀刻ITO层时被微量溶出。

  液晶显示器(liquid crystal display,LCD)因具有低幅射性以及体积浮薄短小的好处,故于利用上日渐平常。而薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)LCD由于其高亮度与大视角的特征,正在高阶电子产物上更是广受迎接。

  4.如权柄请求3所述的手法,个中该氢氧化钠的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  6.如权柄请求1所述的手法,个中该手法于该浸泡一待蚀刻半导体构造于一蚀刻槽内的一草酸溶液中的办法前还征求供应一基板;变成众个薄膜晶体管于该基板上,且各该薄膜晶体管具有一漏极;变成一庇护层于该基板之上,并掩盖该些薄膜晶体管;变成一有机层于该庇护层上,该有机层及该庇护层具有领略的众个接触孔,各该接触孔用以大白各该薄膜晶体管的局部的漏极;变成氧化铟锡层于该有机层及各该接触孔中的漏极上;以及变成一图案化光致抗蚀剂层于该氧化铟锡层上。

  2.如权柄请求1所述的手法,个中该强碱溶液的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  8.如权柄请求7所述的手法,个中该强碱溶液的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  (5)分歧浓度的草酸溶液看待光致抗蚀剂的溶化试验跟着草酸溶液的浓度增众,光致抗蚀剂的溶出率亦随之增众。

  10.如权柄请求9所述的手法,个中该氢氧化钠的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  16.如权柄请求12所述的强碱的用处,个中该待蚀刻半导体构造还征求一基板;众个薄膜晶体管,变成于该基板上,各该薄膜晶体管具有一漏极;一庇护层,变成于该基板之上,并掩盖该些薄膜晶体管;以及一有机层,变成于该庇护层上,该有机层及该庇护层具有领略的众个接触孔,各该接触孔用以大白各该薄膜晶体管的局部的漏极,个中该有机层之上具有该氧化铟锡层及该图案化光致抗蚀剂层。

  由上外可能涌现,血色残留物或许一律溶化于丙酮、NBA、PGMEA及光致抗蚀剂剥离剂中,而血色残留物微溶于酒精及IPA中,但血色残留物难溶于硝酸、皮相活性剂及去离子水中。因而,血色残留物只可溶化于有机溶剂中。因为蚀刻槽由有机材质所组成,故本发觉为了避免毁伤到蚀刻槽,决意采纳另一种无机溶剂,即强碱溶液。

  正在强碱溶液溶化血色残留物的试验中,本发觉以氢氧化钠溶液为例作分析,其试验办法如下(1)制备分歧重量百分比浓度(wt%)的氢氧化钠溶液,如3wt%、6wt%及10wt%的氢氧化钠溶液。

  附图中的附图标帜分析如下100薄膜晶体管(TFT)面板102基板 104薄膜晶体管106庇护层 108有机层110接触孔 112氧化铟锡(ITO)层112a氧化铟锡电极114图案化光致抗蚀剂层120待蚀刻半导体构造实在践诺形式

  请参照图3,其示出根据本发觉的优选践诺例的薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT)面板的缔制手法的流程图。正在图3中,最初,正在办法302中,供应一基板。接着,进入办法304中,变成数个TFT于基板上,且各TFT具有一漏极。然后,进入办法306中,变成一庇护层于基板之上,庇护层掩盖此些TFT。接着,进入办法308中,变成一有机层于庇护层上,有机层及庇护层具有领略的数个接触孔,各接触孔用以大白各TFT的局部的漏极。然后,进入办法310中,变成一氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)层于有机层及各接触孔中的漏极上。接着,进入办法312中,变成一图案化光致抗蚀剂层于ITO层上,且一待蚀刻半导体构造正在此达成。比方,图案化光致抗蚀剂层可为日本科莱恩(Clariant)所出产的PEP5光致抗蚀剂(AZ TFP-650F5)。

  5.如权柄请求1所述的手法,个中该手法于该排出该蚀刻槽内的草酸溶液,并利用一强碱溶液洗濯该蚀刻槽,以去除该蚀刻槽内的残留物的办法后还征求利用一去离子水洗濯该蚀刻槽。

  12.一种强碱溶液的用处,其用以洗濯一蚀刻槽,该蚀刻槽可置入一草酸溶液,该草酸溶液可供具有氧化铟锡层及位于该氧化铟锡层上的图案化光致抗蚀剂层的待蚀刻半导体构造浸入,该草酸溶液将蚀刻所大白的局部的氧化铟锡层,以变成众个氧化铟锡电极,该蚀刻槽于蚀刻后的待蚀刻半导体及该草酸溶液被取出后实行洗濯。

  本发觉公然一种薄膜晶体管面板缔制手法、蚀刻槽洗濯手法及强碱用处。最初,浸泡一待蚀刻半导体构造于一蚀刻槽内的一草酸溶液中一段工夫后并取出,待蚀刻半导体构造起码具有一氧化铟锡(ITO)层及一位于ITO层上的图案化光致抗蚀剂层,草酸溶液用以去除所大白的局部的ITO层,以变成数个ITO电极。接着,排出蚀刻槽内的草酸溶液,并利用一强碱溶液洗濯蚀刻槽,以去除蚀刻槽内的残留物。这样一来,可能避免蚀刻槽中的感测元件被残留物误触而启动差池警铃,并制止TFT面板工艺产生中缀的情景,以降低TFT面板的产率。

  (3)将3wt%、6wt%及10wt%的氢氧化钠溶液各取50毫升与血色残留物响应。

  至于本发觉为何采纳强碱溶液来消除蚀刻槽内的血色残留物,其凭借出处分析如下(1)血色残留物的剖释试验本发觉愚弄傅立叶转换红外光谱仪(fourier transform infrared,FTIR)来剖释血色残留物,其结果涌现血色残留物起码蕴涵七种分歧混淆物,如图4所示。

  请参照图1A~1D,其示出的是守旧的TFT面板的缔制手法的流程剖面图。最初,正在图1A中,供应一基板102,并变成数个TFT 104、数条扫描线上。正在此以简单像素为例作分析,TFT 104变成于基板102上,并具有一漏极(drain)104a。然后,变成一庇护层(passivationlayer)106于基板102之上,庇护层106掩盖TFT 104,接着,变成一有机层(organic layer)108于庇护层106上,如图1B所示。正在图1B中,庇护层106及有机层108具有领略的接触孔(contact hole)110,接触孔110用以大白局部的漏极104a。然后,变成一ITO层112于有机层108上及接触孔110中的漏极104a上,如图1C所示。正在图1C中,再变成一图案化光致抗蚀剂层114于ITO层112上,待蚀刻半导体构造120正在此达成。然后,先以湿蚀刻法(wet etching)去除所大白的局部的ITO层112,以变成ITO电极112a,ITO电极112a藉由接触孔110与漏极104a电相接。再以光致抗蚀剂剥离剂去除图案化光致抗蚀剂层114,如图1D所示,TFT面板100终告达成。

  7.一种蚀刻槽的明净手法,用于一蚀刻槽上,该蚀刻槽可置入一草酸溶液,该草酸溶液可供具有氧化铟锡层及位于该氧化铟锡层上的图案化光致抗蚀剂层的待蚀刻半导体构造浸入,该草酸溶液将蚀刻所大白的局部的氧化铟锡层,以变成众个氧化铟锡电极,该蚀刻槽于蚀刻后的待蚀刻半导体及该草酸溶液被取出后实行洗濯,该明净手法征求利用一强碱溶液洗濯该蚀刻槽,以去除该蚀刻槽内的残留物;以及利用一去离子水洗濯该蚀刻槽。

  13.如权柄请求12所述的强碱的用处,个中该强碱溶液的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  遵循本发觉的再一目标,提出一种蚀刻槽的明净手法,用于一蚀刻槽上,蚀刻槽可置入一草酸溶液,草酸溶液可供一具有一ITO层及一位于ITO层上的图案化光致抗蚀剂层的待蚀刻半导体构造浸入。草酸溶液将蚀刻所大白的局部的ITO层,以变成数个ITO电极,蚀刻槽于蚀刻后的待蚀刻半导体及草酸溶液被取出后实行洗濯。正在此手法中,最初,利用一强碱溶液洗濯蚀刻槽,以去除蚀刻槽内的残留物。接着,利用一去离子水洗濯蚀刻槽。

  有鉴于此,本发觉的目标即是正在供应一种薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT)面板的缔制手法,其以强碱溶液明净蚀刻槽的策画,可能有用地去除蚀刻槽中的残留物,避免蚀刻槽中的感测元件被残留物误触而启动差池警铃。并可制止TFT面板工艺产生中缀的情景,以降低TFT面板的产率。

  综上所述,固然本发觉已以优选践诺例公然如上,可是其并非用以限度本发觉,本界限本领职员,正在不分离本发觉的精神和畛域的景况下,可作种种的更动与润饰,是以本发觉的庇护畛域当以所附的权柄请求所界定的为准。

  15.如权柄请求14所述的强碱的用处,个中该氢氧化钠溶液的重量百分率浓度约为3wt%~10wt%。

  本发觉上述践诺例所公然的薄膜晶体管面板的缔制手法,其以强碱溶液明净ITO蚀刻槽的策画,可能有用地去除ITO蚀刻槽内的残留物,避免蚀刻槽中的感测元件被残留物误触而启动差池警铃。并制止TFT面板工艺产生中缀的情景,以降低TFT面板的产率。

  为让本发觉的上述目标、特性修好处能更明白易懂,下文特举一优选践诺例,并配合附图,作细致分析如下,个中图1A~1D示出守旧的薄膜晶体管(TFT)面板的缔制手法的流程剖面图;图2示出守旧的湿蚀刻法及蚀刻槽的明净手法的流程图;图3示出根据本发觉的优选践诺例的薄膜晶体管面板的缔制手法的流程图;图4示出蚀刻槽中血色残留物的傅立叶转换红外光谱(FTIR)剖释试验结果;图5示出光致抗蚀剂浸泡于草酸溶液中的FTIR剖释试验结果;图6示产生场ITO槽(tank)萃取物、及其与光致抗蚀剂混淆的FTIR剖释结果;图7示出草酸溶液(ITO06SD与ITO05N)中萃取物成份剖释FTIR剖释结果较量。

  然后,进入办法314中,浸泡一待蚀刻半导体构造于一蚀刻槽内的一草酸溶液中一段工夫后并取出。比方,草酸溶液可为台湾伊默克公司所出产的草酸溶液(ITO06SD),而草酸溶液(ITO06SD)蕴涵草酸(oxalic acid)及皮相活性剂(surfactant)。比方,草酸溶液(ITO06SD)用以去除所大白的局部的ITO层,以变成数个ITO电极,且蚀刻槽内将会产生血色残留物。别的,当待蚀刻半导体构造被蚀刻后并取出时,即可去除图案化光致抗蚀剂层,以变成一TFT面板。接着,进入办法316中,排出蚀刻槽内的草酸溶液,并利用一强碱溶液洗濯蚀刻槽,以消除及溶化血色残留物。然后,进入办法318中,利用一去离子水洗濯蚀刻槽,以到达清白蚀刻槽的目标。个中,办法316及办法318可能视为蚀刻槽的明净手法。

  必要属意的是,功课职员必需小心谨慎地利用无尘布擦拭ITO蚀刻槽内的血色残留物,以避免于擦拭失当或使劲过大时酿成ITO蚀刻槽内的感测元件的毁损。是以,功课职员将无法把ITO蚀刻槽内的血色残留物一律消除洁净,导致未被消除洁净的血色残留物将累积于ITO蚀刻槽内。当大方的待蚀刻半导体构造120浸于ITO蚀刻槽内的ITO蚀刻液中时,所累积于ITO蚀刻槽内的血色残留物的含量将会越来越众,使得ITO蚀刻槽中的感测元件万分容易被累积的血色残留物误触而启动差池警铃(false alarm),影响TFT面板产率甚巨。

  发觉者姜忠佑, 黄教忠, 陈柏村, 黄邦铭, 庄玉婷 申请人:友达光电股份有限公司

顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------
相关内容
推荐内容